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更新時(shí)間：2023-08-18
鍺探測(cè)器由于帶隙較窄，與硅探測(cè)器相比，鍺探測(cè)器有較高的漏電流，從可見(jiàn)光到1. 8μm 波長(zhǎng)范圍都有亞微秒級(jí)的響應(yīng)時(shí)間和高靈敏度。一般地，使用零偏壓以獲得高靈敏度，得到高速度要施加大反向偏壓。室溫下其探測(cè)率峰值約為2 x 10 11 cmHz1 / 2 W - 1。
鍺探測(cè)器由于帶隙較窄，與硅探測(cè)器相比，鍺探測(cè)器有較高的漏電流，從可見(jiàn)光到1. 8μm 波長(zhǎng)范圍都有亞微秒級(jí)的響應(yīng)時(shí)間和高靈敏度。一般地，使用零偏壓以獲得高靈敏度，得到高速度要施加大反向偏壓。室溫下其探測(cè)率峰值約為2 x 10 11 cmHz1 / 2 W - 1。
鍺探測(cè)器參數(shù)：
Paremeter | Active area（mm） | TEST REVERSE BIAS (Volts) | NEP W/ÖHz min. | CUT-OFF FREQ. @Vr, 50WRL (MHz)
| CAPACITANCE @Vr MAX (pF)
| Package |
LD-GM2 LD-GM2HS LD-GM2VHS LD-GM2VHR |
0.5SQ | 30 100 250 550 | 1.0 x10-12 0.3 x10-12 0.2 x10-12 0.1 x10-12 | 120 60 35 30 | 27 55 200 250 | TO18 |
LD-GM3 LD-GM3HS LD-GM3VHS LD-GM3VHR |
0.1 | 10 3.0 0.3 0.3 | 0.3 x10-12 0.1 x10-12 0.1 x10-12 0.1 x10-12 | 1500 500 350 250 | 2.0 6.0 8.0 12 |
TO18 |
LD-GM4 LD-GM4HS LD-GM4VHS LD-GM4VHR |
0.3 | 10 3.0 0.3 0.3 | 0.6 x10-12 0.3 x10-12 0.2 x10-12 0.15x10-12 | 300 120 80 80 | 10 25 60 60 |
TO18 |
LD-GM5 LD-GM5HS LD-GM5VHS LD-GM5VHR |
1 | 10 3.0 0.3 0.3 | 1.5 x10-12 0.5x10-12 0.3 x10-12 0.3x10-12 | 55 10 2.0 2.0 | 65 300 1800 1800 |
TO18 |
LD-GM6 LD-GM6HS LD-GM6VHS LD-GM6VHR |
2 | 10 2.0 0.3 0.3 | 2.0x10-12 0.8x10-12 0.4 x10-12 0.4x10-12 | 17 1.0 0.6 0.6 | 300 1200 9000 9000 |
TO18 |
LD-GM7 LD-GM7HS LD-GM7VHS LD-GM7VHR |
3 | 5.0 1.0 0.25 0.25 | 3.0x10-12 1.0x10-12 0.6 x10-12 0.6x10-12 | 4.0 0.7 0.2 0.2 | 800 4000 13000 13000 |
TO5 |
LD-GM8 LD-GM8HS LD-GM8VHS LD-GM8VHR |
5 | 3.0 1.0 0.1 0.1 | 4.0x10-12 2.0x10-12 1.0 x10-12 1.0x10-12 | 1.6 0.5 0.1 0.1 | 3000 6000 35000 35000 |
TO5 |
LD-GM10HS | 10 | 0.5 | 4.0x10-12 | 0.1 | 30000 | TO8 |
LD-GM13HS1 | 13 | 0.5 | 8.0x10-12 | 0.05 | 30000 | TO9 |
LD-GM5TEC1 | 1 | 5 | 0.4x10-12 | 55 | 85 | TO5 |
LD-GM8TEC2 | 5 | 1.0 | 1.0x10-12 | 1.6 | 3000 | TO8 |
鍺探測(cè)器提供專業(yè)定制，封裝形式多樣，可根據(jù)客戶要求選擇封裝形式，并且可依據(jù)客戶的需求定制不同的封裝產(chǎn)品以及可定制TE制冷產(chǎn)品。
可選光敏面積/ 封裝形式/制冷方式等。該探測(cè)器具有響應(yīng)率高、靈敏度高。
應(yīng)用領(lǐng)域：
半導(dǎo)體、核物理探測(cè)、光纖通訊、紅外光學(xué)。
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